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LP3988
绝对最大额定值
(注1,2 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
V
OUT
, V
EN
,电源良好(适用
只有微SMD )
结温
储存温度
铅温度,垫温度。
功率耗散(注3 )
SOT23-5
微型SMD
-0.3 6.5V
-0.3V到(V
IN
+0.3V),
用6V最大
150C
-65 ° C至+ 150°C
235C
364mW
355mW
ESD额定值(注4 )
人体模型
机器型号
SOT23-5 (注13 )
微型SMD
150V
200V
2kV
工作额定值
(注1,2 )
V
IN
(注15 )
V
OUT
, V
EN
结温
结到环境的热
电阻( θ
JA
)
SOT23-5
微型SMD
最大功率耗散(注5 )
SOT23-5
微型SMD
2.5V至6V
0到V
IN
-40 ° C至+ 125°C
220
o
C / W
255
o
C / W
250mW
244mW
电气特性
除非另有规定: V
EN
= 1.8V, V
IN
= V
OUT
+ 0.5V ,C
IN
= 1 μF ,我
OUT
= 1mA时,
OUT
= 1 μF 。典型的价值和限度
出现在标准字体为T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字
适用于整个结温
范围运行, -40°C至+ 125°C 。 (注6 ) (注7 )
符号
参数
输出电压
公差
条件
典型值
极限
2
3
3.5
-3
0.15
0.2
最大
2
3
3.5
3
0.15
0.2
0.005
0.007
65
%/V
% / mA的
单位
20C
%
T
J
%
125℃ SOT23-5
40C
%
T
J
%
125℃ SOT23-5
40C
%
T
J
%
125℃的micro SMD
%的
V
OUT ( NOM )
V
OUT
线路调整错误
负载调节误差
(注8)
V
IN
= V
OUT
( NOM )
+ 0.5V至6.0V
I
OUT
= 1 mA至150毫安
V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1V,
F = 1千赫
I
OUT
= 50 mA时(图
3)
V
IN
= V
OUT ( NOM )
+ 1V,
F = 10 kHz时,
I
OUT
= 50 mA时(图
3)
V
EN
= 1.4V ,我
OUT
= 0毫安
V
EN
= 1.4V ,我
OUT
= 0至150毫安
V
EN
= 0.4V
PSRR
电源抑制比
45
dB
I
Q
静态电流
85
140
0.003
1
80
600
220
1
5
160
20
120
200
1.0
5
115
150
mV
mA
μVRMS
20
500
F
m
C
C
0.1
A
A
输入输出电压差(注9 )
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 150毫安
I
SC
e
n
短路电流限制
输出噪声电压
输出电容
热关断温度
热关断迟滞
最大输入电流EN
(注10 )
BW = 10赫兹至100千赫兹,
C
OUT
= 1F
电容(注11 )
ESR (注11 )
C
OUT
TSD
使能控制特性(注12 )
I
EN
V
EN
= 0和V
IN
= 6.0V
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