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HM51W16165系列， HM51W18165系列
AC特性
（大= 0至+ 70 ° C，V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)*
1,
*
2,
*
18,
*
19,
*
20
测试条件
输入上升和下降时间： 2纳秒
输入电平：0V ， 3.0V，
输入时序参考水平： 0.8 V， 2.0 V
输出时序参考水平： 0.8 V， 2.0 V
输出负载： 1 TTL门+ C
L
（ 100 pF）的（包括范围和夹具）
读，写，读 - 修改 - 写和更新周期
（公用参数）
HM51W16165/HM51W18165
-5
参数
随机读或写周期时间
RAS
预充电时间
CAS
预充电时间
RAS
脉冲宽度
CAS
脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS
to
CAS
延迟时间
RAS
到列地址的延迟时间
RAS
保持时间
CAS
保持时间
CAS
to
RAS
预充电时间
OE
根据DIN延迟时间
OE
从锭延迟时间
CAS
从锭延迟时间
转换时间（上升和下降）
符号
t
RC
t
RP
t
CP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
OED
t
DZO
t
DZC
t
T
民
84
30
8
50
8
0
8
0
8
12
10
10
35
5
13
0
0
2
最大
—
—
—
-6
民
104
40
10
最大
—
—
—
-7
民
124
50
13
最大
—
—
—
单位
ns
ns
ns
笔记
10000 60
10000 10
—
—
—
—
37
25
—
—
—
—
—
—
50
0
10
0
10
14
12
13
40
5
15
0
0
2
10000 70
10000 13
—
—
—
—
45
30
—
—
—
—
—
—
50
0
10
0
13
14
12
13
45
5
18
0
0
2
10000 NS
10000 NS
—
—
—
—
52
35
—
—
—
—
—
—
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
23
22
5
6
6
7
21
21
3
4
11
这种材料版权归其各自的制造商
