HIN230通HIN241
模具特点
DIE尺寸：
160密耳X 140密耳
金属化：
类型：铝
厚度： 10K
±1k
衬底电位
V+
钝化：
类型：氮化物超过SILOX
氮化物厚度： 8K
二氧化硅层厚度： 7K
晶体管数量：
238
过程：
CMOS金属门
金属掩模布局
HIN240
T2
OUT
T1
OUT
R2
IN
T3
OUT
T4
OUT
R3
IN
R3
OUT
T5
IN
关闭
R2
OUT
EN
T2
IN
T5
OUT
T1
IN
R1
OUT
R4
IN
R1
IN
R4
OUT
T4
IN
GND
T3
IN
R5
OUT
V
CC
R5
IN
C1+
V+
C1-
C2+
C2-
V-
3-14
