飞利浦半导体
产品speci fi cation
1到64位可变长度的移位寄存器
功能表
输入
MR
L
L
L
L
H
A / B
L
H
L
H
X
D
A
D
1
D
1
D
1
D
1
X
D
B
D
2
D
2
D
2
D
2
X
H
H
X
X
CP
O
CP
1
L
L
产量
O
(1)
D
2
D
1
D
2
D
1
L
笔记
HEF4557B
LSI
1.瞬间
n
出现在澳要看
比特长度如下表所示。
2. H =高电平状态（更多的正电压）
3， L =低电平状态（不积极的电压）
4. X =状态是无关紧要
5.
6.
=正向跳变
=负向过渡
7. D
n
=高电平或低电平
比特长度选择功能表
L
32
L
L
L
L
L
L
L
L
↓
L
H
H
↓
H
H
H
H
L
16
L
L
L
L
L
L
L
L
↓
H
L
L
↓
H
H
H
H
L
8
L
L
L
L
L
L
L
L
↓
H
L
L
↓
H
H
H
H
L
4
L
L
L
L
H
H
H
H
↓
H
L
L
↓
H
H
H
H
L
2
L
L
H
H
L
L
H
H
↓
H
L
L
↓
L
L
H
H
L
1
L
H
L
H
L
H
L
H
↓
H
L
H
↓
L
H
L
H
寄存器的长度
1-bit
2-bits
3-bits
4-bits
5-bits
6-bits
7-bits
8-bits
↓
32-bits
33-bits
34-bits
↓
61-bits
62-bits
63-bits
64-bits
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
3 500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
15 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
37 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
4
