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GS881Z18B(T/D)/GS881Z32B(T/D)/GS881Z36B(T/D)
睡眠模式
在正常操作期间，ZZ必须拉低，或者由用户或由它的内部下拉电阻。当ZZ被拉高，
经过2个周期的SRAM将进入功耗休眠模式。此时， SRAM的内部状态被保存。当ZZ返回
低， SRAM通常ZZ的恢复时间后运行。
睡眠模式是一种低电流，其中，所述装置被取消和电流掉电模式减少到我
SB
2.所述的持续时间
睡眠模式是通过的时间长度的ZZ是高状态所决定的。进入休眠模式后，除ZZ所有输入变得
残疾人和所有输出到高阻的ZZ引脚是异步的，积极的高投入，导致设备进入睡眠模式。
当ZZ引脚驱动为高电平，我
SB
2 ，保证时间tZZI满足之后。因为ZZ是一个异步输入，以待
正在进行中的操作或操作可能不会，如果ZZ是断言正确完成。因此，睡眠模式下不能启动
直到有效的未决操作完成。同样，当tZZR在退出休眠模式，只有取消或读取命令
可当SRAM是从休眠模式中恢复应用。
睡眠模式时序图
TKH
TKC
CK
tZZR
tZZS
ZZ
tZZH
漳州灿坤
设计为兼容
GSI的NBT SRAM的为用户提供流之间的配置选择通过经发现FT信号模式和Pipelinemode
在引脚14并非所有的厂商都提供这个选项，但是大多数标记引脚14为V
DD
或V
DDQ
流水线上的零件和V
SS
在流
通过零部件。 GSI NBT SRAM是这些插槽完全兼容。
引脚66，无连接（ NC）在GSI的GS8160Z18 / 36 NBT SRAM ，对GSI的GS881Z18 / 36B的奇偶校验错误漏极开路输出
NBT SRAM ，通常标示为其他厂商的兼容NBT SRAM的电源引脚。具体地讲，它被标记为V
DD
或V
DDQ
流水线上的零件和V
SS
在流过的部分。 GSI的NBT设备谁不实际使用ByteSafe 奇偶用户
功能可能需要设计电路板网站与引脚66的RAM通过管道模式1K欧姆的电阻拉高
应用程序或绑在低流量通过模式的应用程序，以保持使用非配置的设备打开选项。
冯： 1.04 10/2004
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2002年， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
