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EN29LV641H / L EN29LV640U
图8.备用CE ＃控制的写操作时序
0x555的计划
0x2AA擦除
PA方案
SA的扇区擦除
0x555芯片擦除
地址
t
WC
WE＃
t
GHEL
OE ＃
t
WS
CE＃
t
DS
数据
0XA0的
节目
PD的节目
的0x30扇区擦除
为0x10芯片擦除
VA
t
AS
t
AH
t
WH
t
CP
t
CPH
t
CWHWH1
/ t
CWHWH2
/ t
CWHWH3
t
DH
t
忙
状态
D
OUT
RY / BY ＃
t
RH
RESET＃
注意事项：
PA =地址的存储单元进行编程。
PD =数据以字节地址进行编程。
阅读编程或擦除状态VA =有效的地址
D
OUT
=在VA阵列读取数据
以上示出的是该程序的最后两个周期或擦除命令序列和最后一个状态读周期
显示RESETt ＃说明吨
RH
测量参考。在一个有效的命令，如图它不能发生
序列。
B
B
B
B
图9. DQ2与DQ6
进入
嵌入式
抹去
抹去
暂停
进入擦除
暂停
节目
进入
暂停
读
进入
暂停
节目
抹去
简历
WE＃
抹去
抹去
暂停
读
抹去
抹去
完整
DQ6
DQ2
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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2005宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2005/06/28
