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EN29LV641H / L EN29LV640U
之前，为了完成嵌入式操作， DQ7可能改变异步时
输出使能（OE ＃ ）是低的。这意味着该设备的驱动状态信息的DQ7在
的时间和有效数据的时间的下一个瞬间1瞬间。根据时间的系统
样品的DQ7输出，它可以读取有效数据的状态。即使该设备已完成
嵌入式操作系统和DQ7有一个有效的数据，在DQ0 -DQ6数据输出可能仍然无效。
在DQ0 - DQ7的有效数据应该读的后续读取的尝试。
关于数据＃查询（ DQ7 ）的流程图所示的流程图4.数据＃查询（ DQ7 ）时序
图示于图6中。
RY / BY ＃ ： Ready / Busy状态输出
该RY / BY ＃是一个专用，开漏输出引脚，用于指示嵌入式算法是否
正在进行或已完成。该RY / BY ＃状态后，最终WE＃脉冲的上升沿有效
命令序列。由于RY / BY ＃是一个漏极开路输出，几个RY / BY ＃引脚可以连
一起在同一个上拉电阻到V并行
CC
.
在输出低电平期间，表示忙碌，该设备正在积极擦除或编程。这
包括在擦除编程挂起模式。如果输出为高电平，表示准备就绪时，
设备已准备好读取阵列数据（包括在擦除挂起模式） ，或在待机状态
模式。
DQ6 ：切换位I
该器件提供了DQ6一个“触发位”来表示的嵌入式编程的状态和
擦除操作。 （见表10 ）
在嵌入式编程或擦除操作，连续尝试从设备读取数据
在任何地址（通过主动OE ＃或CE ＃ ）将导致“零”，“一”之间DQ6切换。一旦
嵌入式编程或擦除操作完成， DQ6将停止切换，有效的数据会
被读取的下一个连续尝试。在编程过程中，切换位后上涨有效
第四WE＃脉冲中的4周期的序列的边缘。在擦除操作，切换位
后6个WE＃脉冲扇区擦除或芯片擦除的上升沿有效。
在嵌入式编程中，如果被写入该部门是受保护的， DQ6将切换为约2
s,
然后停止切换而无需在扇区中的数据已经改变。在扇区擦除或芯片擦除，如果所有的
选定行业的保护， DQ6将发生翻转约100
s.
该芯片将返回到读
模式没有在所有受保护的领域不断变化的数据。
为触发位（ DQ6 ）的流程图如图5流程图翻转位时序图
在图7中示出
.
DQ5 ：超出时间限制
DQ5指示是否编程或擦除时间超过了规定的内部脉冲计数
极限。在这些条件下DQ5产生一个“1 ”，这是一个失败的情况，表示
编程或擦除周期没有成功完成。因为它是可能的DQ5可以成为
1 ，当该设备已成功地完成了它的操作，并返回到读取模式下，用户
必须再次检查，看是否DQ6上DQ5检测到“ 1 ”后切换。
如果系统尝试编程一个“1”的位置，它是DQ5失效的条件下，可能会出现
以前编程为“0”。
只有擦除操作可改变为“0”回到“ 1”。
下
此条件下，该装置停止操作，并在操作已经超过了时间限制，
DQ5产生一个“1”。这两种情况下，系统必须发出复位命令
该设备返回读取阵列数据。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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2005宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2005/06/28
