飞利浦半导体
初步speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
概述
玻璃钝化整流高
在一个塑料外壳可控硅意
在电路中使用，其中高静
动态dv / dt和高di / dt的能
发生。这些设备将换向
在全额定电流有效值在
最大额定结温，
未经缓冲的帮助。
BTA212 C系列
快速参考数据
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BTA212-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500C
500
12
95
600C
600
12
95
800C
800
12
95
V
A
A
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
12
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
95
105
45
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年10月
1
启1.000
