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飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
BT136
BTA204S系列D，E和F
BTA204M系列D，E和F
IT （ RMS ） / A
BT136
8
7
6
5
4
3
2
1
0
P合计/ W
TMB （最大值） / C
101
104
5
1
= 180
120
90
60
30
4
107
110
113
116
119
107 C
3
2
1
122
0
1
2
3
IT （ RMS ） / A
4
125
5
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与安装基座温度T
mb
.
BT136
1000
ITSM / A
BT136
IT
T
ITSM
12
10
时间
IT （ RMS ） / A
TJ初始= 25℃最高
100
dI
T
/ dt限制
8
6
4
T2- G +象限
2
10
10us
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
107C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
30
25
20
15
10
5
0
ITSM / A
BT136
1.6
IT
T
我TSM
时间
BT136
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50
TJ初始= 25℃最高
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
1998年12月
4
启1.000
