LP3928
绝对最大额定值
4)
（注3 ，
最大功率耗散
微型SMD
ESD额定值（注6 ）
人体模型
360毫瓦
2千伏
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
BAT
, V
建行
V
CCA
A
1
–A
3
， EN ， DIR
B
1
–B
3
， LatchClk
结温
储存温度
焊接温度（注27 ）
盘温度（注27 ）
功率耗散（注5 ）
θ
JA
（微型SMD ） ，典型的
-0.2V至+ 6.5V
-0.2V至+ 3.3V
-0.2V到V
CCA
+ 0.2V
-0.2V到V
建行
+ 0.2V
150C
-65 ° C至+ 150°C
235C
235C
180C/W
工作条件
（注3,4）
V
BAT
V
CCA
V
建行
结温
环境温度
最大功率耗散（注8）
3.05V至6.0V
1.65V到1.95V
（注7 ）
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
220毫瓦
除非另有规定：H = V
IH
分中，L = V
IL
最大，C
VBAT
= 1 μF ，我
OUT
= 1
毫安，C
VCCB
= 1 μF ，C
VCCA
= 1 μF 。典型值和限制出现在标准字体应用对于T
J
= 25℃。限制AP-
pearing在
黑体字
适用于整个结温范围内运作， -40°C至+ 125°C 。 （注9 ）
电气特性
电平转换器的直流电压电平
除非另有规定： EN1 = H ， EN2 = X; 3.05V
≤
V
BAT
≤
6V, 1.65V
≤
V
CCA
≤
1.95V.
符号
V
IHA
V
ILA
V
OHA
V
OLA
V
IHB
V
ILB
V
OHB
V
OLB
V
IHEN -DIR
V
ILEN -DIR
V
IHLatClk
V
ILLatClk
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电压
条件
对于销
对于销
对于B引脚
对于B引脚
I
OH
= 4毫安
I
OL
= 4毫安
I
OH
= 4毫安
I
OL
= 4毫安
民
V
CCA
*
0.65
0
V
CCA
0.45
0
V
建行
*
0.7
0
V
建行
*
0.7
0
V
CCA
*
0.75
0
V
建行
*
0.7
0
2.75
0.1
1.5
0.1
典型值
最大
V
CCA
+0.2
V
CCA
*
0.35
V
CCA
+0.2
V
CCA
*
0.25
V
建行
+0.2
V
建行
*
0.3
V
建行
+0.2
V
建行
*
0.2
V
CCA
+0.2
V
CCA
*
0.27
V
建行
+0.2
V
CCA
*
0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
对于EN和DIR引脚
对于LatchClk引脚
电平转换器的直流电流水平
除非另有规定： EN1 = H ， EN2 = X; V
BAT
= 6V或V
CCA
= 1.95V适用于B或A ，分别。
符号
I
IA
I
IDIR_EN
参数
输入漏电流艾
输入漏电流
DIR / EN
（注11 ）
输入漏电流毕，
LatchClk （注12 ）
静态I
建行
电流/通道
静态I
建行
目前总
（注13 ， 17 ）
静态I
建行
电流/通道
静态I
建行
目前总
（注14 ， 17 ）
条件
Vi
A
= 0 / 1.9V ， DIRI = H
(V
CCA
= 1.8V时，六
A
= 1.9V)
VI = 0 / 1.9V （V
CCA
= 1.8V时， VI =
1.9V)
Vi
B
= 0 / 2.95V ， DIRI = L
EN2 = H， DIRI = H，
共有包括我
工商管理学士学位
EN2 = L时， DIRI = L
共有包括我
工商管理学士学位
民
典型值
0.001
0.001
最大
单位
A
A
±
2
±
2
I
IB
I
CHA
→
B
0.001
550
2050
2
406
±
2
875
3330
30
840
A
A
I
CHB
→
A
A
5
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