KSC5603D
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
测试条件
I
C
= 0.5毫安，我
E
=0
I
C
= 5毫安，我
B
=0
I
E
= 0.5毫安，我
C
=0
V
CES
=1600V,
I
E
=0
V
CE
=800V,
V
BE
=0
V
EB
= 12V，我
C
=0
V
CE
=3V,
I
C
=0.4A
V
CE
=10V,
I
C
=5mA
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=250mA,
I
B
=25mA
I
C
=500mA,
I
B
=50mA
I
C
= 1A ，我
B
=0.2mA
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
=500mA,
I
B
=50mA
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
C
ib
C
ob
f
T
V
F
输入电容
输出电容
电流增益带宽积
二极管的正向电压
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
V
EB
= 10V ，我
C
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
I
C
=0.1A,V
CE
=10V
I
F
=0.4A
I
F
=1A
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
0.83
1.5
0.74
0.61
0.85
0.74
745
56
5
0.76
1.2
1.2
1.1
1.2
1.1
1000
500
pF
pF
兆赫
V
V
V
V
V
V
1.2
2.5
V
1.5
2.5
V
20
6
20
20
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
0.05
29
15
43
46
0.5
1.25
V
0.01
分钟。
1600
800
12
典型值。
1689
870
14.8
0.01
100
1000
100
1000
500
35
A
A
马克斯。
单位
V
V
V
A
2003仙童半导体公司
牧师C1 ， 2003年6月
