KSC5020
典型特征
5
1000
I
C
[A] ，集电极电流
4
h
FE
，直流电流增益
I
B
= 500毫安
3
100
I
B
= 400毫安
I
B
= 300毫安
I
B
= 200毫安
I
B
= 100毫安
2
10
1
I
B
= 50毫安
I
B
= 20mA下
0
0
2
4
6
I
B
= 0
8
10
1
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
10
10
I
C
= 5 I
B
V
CC
= 200V
I
C
= 5I
B1
= -2.5I
B2
1
V
BE
（SAT）
t
ON
, t
英镑
, t
F
[
S] ，时间
t
英镑
1
t
ON
t
F
0.1
0.1
V
CE
（SAT）
0.01
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图3.集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
图4.开启，储存和下降时间与
集电极电流
4
100
V
CE
= 5V
I
C
[A] ，集电极电流
3
I
C
[A] ，集电极电流
10
I
CP
（最大）
I
C
（最大）
50
s
P=
C
4
0W
0
10
s
s
1米s
m
10
1
2
DC
0.1
1
0.01
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1E-3
1
10
100
1000
V
BE
[ V]时，基极发射极电压
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图5.基射极电压上
图6.正向偏置安全工作区
2002仙童半导体公司
修订版B1 ， 2002年12月
