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K9F5608R0D
K9F5608U0D K9F5608D0D
NAND闪存技术说明
（续）
在读或写操作错误
FL灰内存
在其寿命时间，附加的无效块可以开发与NAND闪存。参阅资格报告为实际
data.The以下可能的故障模式应当考虑实现一个高度可靠的系统。在状态的情况下读取故障 -
擦除或编程之后茜，块替换应该做的。由于程序状态无法在一个页面程序没有影响
在相同块中的其它页的数据，块替换，可以使用一个页大小的缓冲器通过找到一个擦除执行
空块和重编程的当前目标数据，并复制替换块的其余部分。如果是读， ECC必须
聘用。以提高存储空间的效率，建议将所读取或验证失败是由于单个位错误是
没有任何阻拦取代ECC回收。上述附加块的故障率并不包括那些回收的块。
失效模式
写
读
清除故障
程序故障
单位失败
检测及对策序列
更换擦除-->座后状态读
更换计划-->座后状态读
验证ECC -> ECC校正
ECC
：纠错码-->汉明码等。
例） 1位校正& 2位检测
程序流程图
开始
写80H
写地址
写数据
写10H
读状态寄存器
I / O 6 = 1 ？
或R / B = 1 ？
是的
No
I / O 0 = 0 ？
No
程序错误
*
是的
项目已完成
*
16
如果程序运行产生错误，映射出
包括在网页中的错误，并复制该块中的
目标数据到另一个块。
