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不允许同时ISP功能的Flash EEPROM程序存储器
被编程。
ISP的闪速存储器被划分为192个页面，每个页面
含有4个字（每个16比特宽）。每一页还
分成两行。擦除是在一次一页，
而编程进行一行（或一个局部
行）的时间。
一旦擦除或编程操作开始后， PG-
在MSTAT寄存器MBUSY位自动设置，并
然后清零时操作完成。所有的高电压
所需的编程和擦除脉冲和定时是
内部提供。程序存储器不能访问 -
编而PGMBUSY位被置位。
擦除过程
删除一个页面需要以下代码序列：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
验证MSTAT.PGMBUSY位清零。
设置DMCSR.ERASE位为1 。
当地禁止中断。
正确写入键值到ISPKEY寄存器。
写入任何有效页被擦除。
重新启用中断在步骤3中禁用。
将DMCSR.ERASE位为0 。
编程步骤
通过在写入指令字节写入指令
用户引导ROM区（定义同上） EX-内的任何位置
概念在过去的两个词。当用户引导ROM区
已被禁用，这句话不能在编程
IRE环境。需要注意的是，当这个词被删除了重新
编程，在同一页上。换句话说，首先必须
保存，然后重新编程。
7
空
5
4
2
1
0
版权所有
CODEAREA [9：8 ]
9.4.3
编程是通过写一个字节或字的时间进行
并应在已删除内存中完成。
编程ISP功能的Flash EEPROM程序存储器重
张塌塌米下面的代码序列：
1.
2.
3.
4.
5.
验证MSTAT.PGMBUSY位清零。
当地禁止中断。
正确写入键值到ISPKEY寄存器。
写一个字节或字的处理位置。
重新启用中断在步骤2中禁用。
CODEAREA [9：8 ]
2个最低显著位地址E5FE
包含的两个最显著位-10-
位CODEAREA场。的描述
CODEAREA显示在E5FC部。
空
空状态表明如果闪光灯EE-
PROM程序存储器阵列是空的。
它坐落在3个最显著位AD-
打扮E5FE 。当在所述两个或更多个位
空字段被设置时，快闪EEPROM亲
程序存储器是空的。经DE-复位
副和环境选择引脚都
高，器件工作在ISP环境
而不是IRE环境。该程序后
内存已经充满了用户代码，这
现场应清除000
2
.
000 ， 001 ， 010 ， 100 ：程序存储器中包含用户代码
011 ， 101 ， 11倍：程序存储器是空的，不启动在IRE
E5FF字节
复位时，位于E5FF地址字节读入
在FLSEC寄存器。该字节不能写在IRE
环境。该E5FF字节的格式如下所示：
7
FROMWR
4
3
FROMRD
0
编程的值可以通过正常读取验证OP-
操作。
如果发生在擦除或编程的中间一个复位
操作时，该操作被终止。复位扩展
直到闪速EEPROM存储器返回到空闲状态。
9.4.4
擦除和编程时序
在地址位置的FROMRD和FROMWR领域
E5FF分别提供读写安全闪光
EEPROM程序存储器阵列，同时执行指令
系统蒸发散在IRE以外的所有环境。用户应始终
写0000
2
启用安全功能。
0000 ， 0001 ， 0010 ， 0100 ， 1000 ：安全功能启用
0011 ， 0101 ， 011X ， 1001 ， 101X ， 11XX ：安全功能禁用
编程和擦除时间由闪光控制EE-
PROM数据存储器逻辑。
9.4.5
内存控制和保护功能
FROMRD
最后8个字节的ISP的存储器的保留用于特定
功能和其中的一些字节提供存储器保护
化和安全性的闪速EEPROM程序存储器。
阅读并提供各种类型的写保护。
在复位弹力期间，字节位于E5FE和
E5FF被读出到FLCTRL2和FLSEC寄存器重新
spectively 。复位时和指令之前取，字节
位于E5FC和E5FD被读出到FLCTRL2和
FLCTRL1分别注册。的FLCTRL2寄存器部件
在不同的时间被加载。
E5FE字节
于芯片的复位，设在E5FE字节被读入
在FLCTRL2寄存器。它可以写在ISP或测试烯
vironments 。它也可以被写在IRE的环境
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FROMWR
在芯片复位，读取启用了安全性
而0000除了所有环境恢复
IRE 。内部的程序代码只能是EX-
ecuted在IRE环境时，读SE-
curity被激活。
在芯片复位，写启用了安全性
和编程和擦除操作闪光灯
在这两种编程EEPROM程序存储器
明模式被防止。
一旦读/写启用了安全性，奇数字节
从地址E5F9到E5FF不能被删除。一旦SECU-
RITY功能已启用，则无法撤销。为了预
被擦除后， ISP和数据发泄的安全状态
存储器阵列不能大规模擦除。
注意：
在快闪记忆体测试模式下，这种情况也预
通风口的高耐用性闪存的奇数字节
被擦除的EEPROM数据存储器（ F001至F07F ） ;
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