HCS86MS
1995年9月
抗辐射
四2输入异或门
引脚配置
14引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装（ SBDIP ）
MIL- STD- 183S CDIP2 - T14 ，铅涂层
顶视图
A1 1
B1 2
Y1 3
A2 4
B2 5
Y2 6
7 GND
14 VCC
13 B4
12 A4
11 Y4
10 B3
9 A3
8 Y3
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD （SI ）
SEP有效LET没有冷门： >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转（ SEU ）免疫< 2 ×10
-9
错误/位天
（典型值）
剂量率生存能力： >1 ×10
12
RAD （SI ） / S
剂量率翻转>10
10
RAD （SI ） / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
军用温度范围：-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围： 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = VCC最大值的30％
- VCC敏VIH = 70 ％
输入电流水平㈡
≤
5μA在VOL ， VOH
14引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装（ FLATPACK ）
MIL- STD- 183S CDFP3 - F14 ，铅涂层
顶视图
A1
B1
Y1
A2
B2
Y2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
B4
A4
Y4
B3
A3
Y3
描述
Intersil的HCS86MS是一种抗辐射四2输入
异或门。高上任何一个输入专会
改变输出为高电平状态。
该HCS86MS采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射，高速， CMOS / SOS逻辑系列
TTL或CMOS输入兼容。
该HCS86MS是在一个14引线焊接密封陶瓷供应
FL atpack （K SUF网络X）或焊接密封陶瓷双列直插式封装
（D SUF网络X） 。
工作原理图
(1, 4, 9, 12)
An
Bn
(2, 5, 10, 13)
(3, 6, 8, 11)
Yn
订购信息
部分
数
HCS86DMSR
HCS86KMSR
HCS86D/
样品
HCS86K/
样品
HCS86HMSR
温度
范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选
水平
Intersil的类
s等效
Intersil的类
s等效
样品
样品
DIE
包
14铅SBDIP
14引脚陶瓷
扁平
14铅SBDIP
14引脚陶瓷
扁平
DIE
真值表
输入
An
L
L
H
H
Bn
L
H
L
H
输出
Yn
L
H
H
L
注： L =逻辑低电平， H =逻辑高电平
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
93
518773
3058.1
