HCS370
表9-1 ：
直流特性： HCS370 （续）
标准工作条件（除非另有说明）
工作温度0°C
≤
T
A
≤
+ 70 ° C（商业）
-40°C
≤
T
A
≤
+ 85 ° C（工业级）
特征
分钟。
（典型值） *
马克斯。
单位
条件
DC特性
除非所有的引脚
电源引脚
PARAM
号
D080
D090
D091
D100
D120
D121
D122
符号。
输出低电压
V
OL
V
OH
V
OH
RPD
E
D
Vdrw
TDEW
输出引脚
输出引脚
LED
S0 - S5 ， SHIFT
耐力
V
DD
读/写
擦除/写周期时间
(1)
—
V
DD
-0.7
1.5
40
200K
2.05
—
—
—
—
75
1000K
—
4
0.6
—
—
100
—
5.5
10
V
V
V
I
OL
= 8.5毫安， V
DD
= 4.5V
I
OH
= -3.0毫安，V
DD
= 4.5V
I
OH
= -0.5毫安，V
DD
= 4.5V
输出高电压
内部下拉电阻
千欧若启用
东/西
V
ms
25 ℃，电压为5V
数据EEPROM存储器
注1 ：
*这些参数为特性值，但未经测试。
2:
"Typ"列中的数据都是在5.0V ，25°C ，除非另有说明。这些参数仅供设计参考之用，
未经测试。
3:
供电电流主要是由工作电压和频率的函数。其他因素，如I / O引脚负载
和开关速率，振荡器类型，内部代码执行模式和温度也会对电流的影响
消费。
应该向下运行到V
BOR
但没有测试低于2.0V 。
4:
的测试条件为所有的I
DD
在正常工作模式下测量：所有的I / O引脚均为三态，上拉至V
DD
。 MCLR = V
DD
; WDT
启用/禁用规定。在休眠模式下的掉电/关断电流并不取决于振荡器的频率。电源 -
下电流是在器件休眠时，所有I / O引脚处于高阻状态并接至V
DD
或V
SS
。该
电流
当WDT被使能的额外电流消耗。此电流应被添加到基本I
DD
还是我
PD
测量。
2002年Microchip的科技公司
初步
DS41111D第25页
