AD745
HOW芯片封装类型和功率耗散
AFFECT输入偏置电流
输入偏置电流 - 安培
300
T
A
= 25 C
如同所有的JFET输入放大器，的输入偏置电流
AD745是器件结温直接的功能，我
B
约每10 ℃的两倍。图9示出了厘清
偏置电流和结温的间tionship
AD745 。该曲线图表明，降低结温
TURE将极大地提高I
B
.
10
–6
V
S
= 15V
T
A
= 25 C
200
JA
= 165℃ / W
100
JA
= 115℃ / W
输入偏置电流 - 安培
10
–7
JA
= 0 C / W
10
–8
0
5
10
电源电压 -
15
伏
10
–9
图11.输入偏置电流与电源电压的
的各个值
θ
JA
T
J
10
–10
10
–11
A
10
–12
–60
（J TO DIE
坐骑）
–40
–20
0
20
40
60
80
100
结温 - C
120
140
B
图9.输入偏置电流与结温
T
A
例
（管芯安装
以案例）
一个集成电路的直流热性能可以被紧密地近似
通过使用图10所示的简单的模型，其中电流表示
耗散功率，电压表示温度和电阻
代表热阻（ θ在
° C /瓦） 。
T
J
JC
CA
A
+
B
=
JC
图12.细分的各种封装的热
阻力
降低功率电源供电FOR
我低
B
P
IN
JA
T
A
其中：
P
IN
=设备损耗
T
A
=环境温度
T
J
=结温
JC
=热阻 - 结到管壳
CA
=热阻 - 外壳到环境
图10.器件热模型
降低电源运行降低了我
B
有两种方法：由第一
降低二者的总功耗;第二，通过reduc-
荷兰国际集团的基本栅极到结漏（图11） 。图13
示出了40 dB的增益压电换能器的放大器，其
操作时无需AC耦合电容，工作在-40° C至
+ 85 °C温度范围。如果可选的耦合电容，
C1，被使用时，此电路将工作在整个-55°C至
+ 125 ° C温度范围。
100
C1*
10
8
**
CT **
+5V
10k
从这个T型
J
= T
A
+θ
JA
P
IN
。因此，我
B
可以阻止 -
通过使用图9一起开采的特定应用
为公开的数据
θ
JA
和功耗。可以在用户
修改
θ
JA
通过使用一个适当的夹式散热器，如
爱美达＃ 5801 。图11示出了偏置电流和电源电压的
同
θ
JA
作为第三个变量。此图可用于预测
偏置电流后，
θ
JA
已经计算。再次偏置电流
一倍，每10 ℃。
传感器
C
T
10
8
AD745
–5V
*可选
隔直流电容器
**可选，
参见文本
图13.压电换能器
Rev. D的
–9–
