2N5564/5565/5566
Vishay Siliconix公司
匹配的N沟道JFET双
产品概述
产品型号
2N5564
2N5565
2N5566
V
GS （ OFF ）
(V)
-0.5至-3
-0.5至-3
-0.5至-3
V
（ BR ） GSS
敏（ V）
–40
–40
–40
g
fs
MIN（ ms）的
7.5
7.5
7.5
I
G
典型值（PA ）
–3
–3
–3
jV
GS1
– V
GS2
j
MAX（毫伏）
5
10
20
特点
D
D
D
D
D
D
D
双芯片设计
高转换率
低失调/漂移电压
低栅极漏电流： 3 pA的
低噪音： 12
nV/√Hz
@ 10 Hz的
良好的共模抑制比： 76分贝
最小的寄生效应
好处
D
紧差分匹配与电流
D
提高运算放大器的速度，稳定时间
准确性
D
最小输入错误/修正要求
D
微不足道的信号丢失/错误电压
D
高灵敏度系统
D
大输入信号的最小误差
D
最大的高频性能
应用
D
宽带差分放大器
D
高速，
温度补偿，
单端输入放大器
D
高速比较器
D
阻抗转换器
D
匹配的开关
描述
该2N5564 / 5566分之5565匹配对JFET的装
在TO- 71封装。这种双芯片的设计减少了寄生效应
对于高频性能好，同时确保
极其严格匹配。
该系列具有高
击穿电压（V
（ BR ） DSS
通常> 55 V ） ，高增益
（通常> 9毫秒） ，并且<5毫伏两个管芯之间的偏移量。
在密封的TO- 71封装可与全
军方处理（见军事信息） 。
对于类似的产品见低噪声的U / SST401系列，和
低漏电2N5196 / 5197 /五千一百九十九分之五千一百九十八数据表。
TO-71
S
1
1
D
1
6
D
2
G
2
2
5
3
G
1
顶视图
4
S
2
绝对最大额定值
栅极 - 漏极，栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 V
栅栅电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
"80
V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
_C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到200_C
文档编号： 70254
S- 04031 -REV 。 D， 04军， 01
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55至150_C
功耗：
每面
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 325毫瓦
总
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 650毫瓦
笔记
一。减免2.6毫瓦/ _C以上25_C
B 。减免5.2毫瓦/ _C以上25_C
www.vishay.com
8-1
