2N5564/5565/5566
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
输出特性
14
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
12
I D - 漏电流（mA ）
10
–0.2 V
8
–0.3 V
6
4
2
–0.7 V
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏源电压（ V）
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
–2
–0.4 V
–0.5 V
–0.6 V
V
GS
= 0 V
32
–0.1 V
I D - 漏电流（mA ）
24
25_C
16
T
A
= –55_C
40
传输特性
V
GS （ OFF ）
= –2 V
V
DS
= 15 V
8
125_C
输出特性
5
V
GS
= 0 V
–0.1 V
4
I D - 漏电流（mA ）
V
GS （ OFF ）
= –1.5 V
–0.2 V
–0.3 V
电容（pF）
–0.4 V
3
–0.5 V
2
–0.6 V
–0.7 V
1
–0.8 V
–0.9 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
6
24
30
电容与栅源电压
F = 1 MHz的
V
DS
= 0 V
18
12
C
国际空间站
C
RSS
0
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
DS
- 漏源电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
栅极漏电流
10 nA的
I
D
= 10毫安
I
GSS
@ 25_C
T
A
= 125_C
100
共栅输入导纳
V
DG
= 15 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25_C
1 nA的
I G - 栅极漏
g
ig
b
ig
1毫安
100 pA的
（女士）
1毫安
10 pA的
T
A
= 25_C
1 pA的
I
G（ ON）的
@ I
D
0.1帕
0
6
12
18
24
30
10毫安
10
I
GSS
@ 25_C
1
0.1
100
200
500
1000
V
DG
- 漏极 - 栅极电压（V ）
的F - 频率（MHz ）
www.vishay.com
8-4
文档编号： 70254
S- 04031 -REV 。 D， 04军， 01
