三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M63804P/FP/GP/KP
7 -UNIT 300毫安晶体管阵列
推荐工作条件
（除非另有说明， TA = -40 + 85
°
C)
符号
V
O
参数
输出电压
M63804P
集电极电流
（每1税务局局长电流
I
C
CUIT 7时电路
将会陆续Si-所示
multaneously ）
M63804GP
M63804KP
V
IN
输入电压
M63804FP
占空比不超过45 ％
占空比不超过100 ％
占空比不超过30 ％
占空比不超过100 ％
占空比不超过24 ％
占空比不超过100 ％
占空比不超过24 ％
占空比不超过100 ％
测试条件
范围
民
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
35
250
160
250
130
250
120
250
120
30
单位
V
mA
V
电气特性
（除非另有说明， TA = 25
°
C)
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE （ SAT ）
V
IN（上）
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
测试条件
范围
民
35
—
—
7.5
50
典型值
—
—
—
11
—
最大
—
0.2
0.8
15
—
单位
V
V
V
—
I
首席执行官
= 10A
I
IN
= 1mA时，我
C
= 10毫安
集电极 - 发射极饱和电压
I
IN
= 2毫安，我
C
= 150毫安
“在”输入电压
I
IN
= 1mA时，我
C
= 10毫安
直流放大系数
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安
开关特性
（除非另有说明， TA = 25
°
C)
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
C
L
= 15pF的（注1 ）
测试条件
范围
民
—
—
典型值
120
240
最大
—
—
单位
ns
ns
注1：测试电路
输入
Vo
时序图
50%
输入
测量设备
PG
50
R
L
产量
50%
C
L
产量
50%
50%
吨
花花公子
（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1kHz时，
TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF = 6ns的，莫宁= 50Ω ，V
IH
= 11V
（ 2 ）输入输出条件下，R
L
= 220Ω ， VO = 35V
（ 3 ）静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
2000年1月
