L6996
要设置电流阈值，选择[R色
ILIM
根据下面的等式：
EQ 11
R
ILIM
-
I
M AX_VAL LEY
= ---------------------
K
C
R
SENS ê
其中K
C
为限流系数（ 0.25μA典型值） 。负电流限制在动态转录还介绍
位数，当零交叉比较器被禁止，并在电感器允许电流反向。负
执行负跳变时（即，输出电压降低），以避免过高的电流限制是有用
放电电流。
正反两方面的限流具有相同的阈值;但负电流限制可使用设置
过压保护信号加一个晶体管，在动态转变而改变，如在图16 （ Q5 ， R11 ） 。
该系统精度的电阻连接到我的正确性功能
LIM
引脚和RSENSE电阻。
此外ILIM引脚上的电压必须为10mV和2V之间的范围，以确保系统的线性度。
1.6保护和故障
感应CS-引脚电压进行输出保护。故障（即性质，锁存OV或锁存
紫外线）由PGOOD和OVP销定。如果输出电压在90％ 110％范围内时， PGOOD为高。
如果发生过压或欠压时，设备被锁存。低边MOSFET导通和高边
MOSFET关断。 PGOOD变低。 OVP变高的情况下的过电压，从而允许待检测的故障的性质。
休养生息无论是设备必须关闭的功能，以为SHDN引脚或电源有
被除去。这些功能是防止短路（UV故障），以及高侧MOSFET有用
短期（ OV故障） 。
1.7驱动程序
集成的高电流驱动器允许使用功率MOSFET的不同规模，保持快速切换转录
习得。该驱动高侧MOSFET采用BOOT引脚和电源引脚相对于收益率（浮
驱动器）。驱动程序用于低侧MOSFET的使用VDR引脚退回供应和PGND引脚。该
主要特征是所述自适应反交叉传导保护，以防止来自高压侧和低压侧
的MOSFET是在同一时间，避免高电流从VIN流到GND。当高边MOSFET
被关闭的销相的电压开始下降;低侧MOSFET导通时只有当电压
年龄PHASE引脚上达到250mV的。当低压侧关闭，高压侧仍处于关闭状态，直到LGATE引脚电压
达500mV的。这一点，因为驾驶员可以用大范围的外部电源的正常工作是非常重要的MOSFET导
场效应管。
当前需要切换外部MOSFET的流经该设备，它正比于
MOSFET的栅极电荷和开关频率的平方根。所以该设备的功耗是
功能的外部功率MOSFET的栅极电荷和开关频率。
EQ 12
P
司机
= V
CC
· Q
gtot
· F
SW
用于低侧和高侧的最大栅极电荷值从下式给出：
EQ 13
f
SW0
-
= ------------
75 NC
Q
M AXHS
f
SW
EQ 14
f
SW 0
-
Q
M AXLS
= ------------
125nC
f
SW
其中f
SW0
= 500kHz的。上面的公式是有效的对于T
J
= 150℃。如果系统温度较低的Q
G
可以是更高的。
对于低边驱动器的最大输出栅极电荷遇到了另一个限制是由于内部的痕迹退化;
14/26
