
KSA1298
KSA1298
低频功率放大器
补到KSC3265
2
1
3
SOT-23
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
1.底座2.辐射源3.收藏家
评级
-30
-25
-5
-800
-160
200
150
-55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
请参考KSA643的图形。
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
f
T
C
ob
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
测试条件
I
C
= -10mA ,我
B
=0
I
E
= -1mA ,我
C
=0
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
BE
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
= -100mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -800mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -20mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
-0.5
120
13
100
40
分钟。
-25
-5
-100
-100
320
-0.4
-0.8
V
V
兆赫
pF
典型值。
马克斯。
单位
V
V
nA
nA
h
FE1
分类
分类
h
FE1
记号
O
100 ~ 200
Y
160 ~ 320
J1
h
FE
GRADE
2001仙童半导体公司
牧师A1 , 2001年6月