KSA1281
典型特征
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
-1400
I
B
= -7mA
I
C
[马] ，集电极电流
-1200
I
B
= -6mA
-1000
-1
I
B
= -5mA
-800
I
B
= -4mA
-600
I
C
= 50I
B
T
a
= 25 C
-0.1
o
I
B
= -3mA
-400
I
B
= -2mA
-200
I
B
= -1mA
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
0
-0.01
-1
-1
-10
-10
-100
-100
-1000
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[马] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.基射极饱和电压
-1400
V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
V
CE
= -2V
-1200
-1
I
C
[马] ，集电极电流
-1000
-800
I
C
= 50I
B
T
a
= 25 C
-0.1
o
-600
-400
-200
-0.01
-1
-1
-10
-10
-100
-100
-1000
0
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
I
C
[马] ，集电极电流
V
BE
[ V]时，基极发射极电压
图3.集电极 - 发射极饱和电压
图4.基射极电压上
-10
1.4
I
C
（MAX）， PLUS
1.2
I
C
[马] ，集电极电流
P
D
[W] ，功率耗散
-100
I
C
（最大）
-1
1.0
1ms
1s
T
a
=25 C
特区
手术
o
0.8
0.6
-0.1
0.4
V
首席执行官
最大
-0.01
-0.1
0.2
-1
-10
0.0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
a
[C] ，环境温度
图5.安全工作区
图6.功率降额
2001仙童半导体公司
牧师A1 ， 2001年6月
