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OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
3.10.4
擦除暂停/删除恢复运行
FL灰内存
擦除暂停/删除恢复命令中断和重新启动块擦除或者多块擦除操作，使用户可以
一个没有被指定的擦除/多块擦除操作的块上执行其他紧急操作。
擦除挂起在块擦除操作
当擦除挂起命令块擦除或者多块擦除操作期间写入，设备需要最多
500US暂停擦除操作。擦除挂起期间块地址锁存器序列命令的问题是禁止的。
后擦除操作已被暂停，该装置已准备好用于下一操作包括一个负载，程序拷贝回
计划，锁定，解锁，锁定紧，热复位， NAND闪存内核复位，根据指令复位，多块擦除读取验证，或
OTP访问。
随后的操作是，这不是被擦除任何块。
一个特殊情况，即有关擦除挂起的OTP 。复位命令用于从OTP访问模式中退出。如果
从OTP访问模式复位触发退出发生在擦除挂起操作，擦除程序可能会失败。因此
从OTP访问模式退出，不暂停擦除操作站，一个“ NAND闪存内核复位”命令应该是
发行。
对于擦除期间暂停期内的以下命令不接受：
块擦除/多块擦除/擦除挂起
擦除挂起和恢复擦除操作流程图
开始
写0到中断寄存器
地址： F241h DQ = 0000H
写0到中断寄存器
地址： F241h DQ = 0000H
写“删除恢复
命令？
地址： F220h DQ = 0030H
写“擦除挂起
命令？
1)
地址： F220h DQ = 00B0h
等待INT寄存器
从低到高的转变
地址： F241h DQ = [ 15 ] = INT
等待INT寄存器
从低到高过渡500US
地址： F241h DQ = [ 15 ] = INT
检查控制器的状态寄存器
如果块擦除的
不要多块擦除校验读
如果多块擦除的
另一个操作
*
*其他操作;负荷，计划
复制回收计划， OTP访问
2)
,
热复位，复位闪光， CMD复位，
多块擦除校验，锁，
锁定紧，解锁
注1 ）擦除挂起命令输入过程中多块擦除禁止地址锁存周期。
2 ）如果OTP接入方式出口情况与复位操作过程中擦除挂起模式，
复位操作可能会伤害擦除操作。如果用户想从OTP接入方式退出等等
未经擦除操作停止，复位NAND闪存核心命令应该被使用。
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