K5L5628JT(B)M

文档标题

多芯片封装存储器

初步

初步

MCP内存

256M位（ 16M ×16）同步突发，多行NOR闪存/ 128M位（ 8M ×16）同步突发UtRAM

修订历史

修订历史号

0.0

最初的草案

（ 256M NOR闪存A- die_rev0.3 ）

（ 128M UtRAM M- die_rev0.1 ）

敲定

<UtRAM> ....... 1.0版

- 删除同步突发读和异步写模式

草案日期

2004年8月12日

备注

初步

1.0

2004年11月10日决赛

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的网站。

http://samsungelectronics.com/semiconductors/products/products_index.html

所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利

改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有

有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。

1

修订版1.0

2004年11月