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28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3
当该装置处于读阵列模式中，四个控制信号控制数据输出：
WE＃必须为逻辑高电平（V
IH
)
CE ＃必须为逻辑低电平（V
IL
)
OE ＃为逻辑低电平（V
IL
)
RP ＃必须是逻辑高电平（V
IH
)
此外，所希望的位置的地址必须施加给地址引线。如果该设备是
不是在读阵列模式，如会出现这种情况的程序之后或擦除操作时，读阵列
命令（ FFh）中必须写入在CUI阵列读出之前可以发生。
表4 。
CODE
00, 01,
60, 2F,
C0, 98
FF
命令代码和说明
DEVICE模式
无效的/
版权所有
读阵列
描述
未分配的指令不应该被使用。英特尔保留重新定义这些权
代码为未来的功能。
将器件置于读阵列模式，使得阵列数据将在数据引脚输出。
这是一个双循环指令。第一个周期准备CUI的程序操作。该
第二个周期锁存地址和数据信息，并启动执行的WSM
程序算法。闪光输出状态寄存器的数据时， CE ＃或OE ＃翻转。 A读
编程读取阵列数据后阵列命令是必需的。看
第3.2.4节。
（见40H /程序设置）
准备在崔的擦除确认命令。如果下一个指令是不是一个擦除
确认命令，那么崔会（一）设置状态寄存器的两个SR.4和SR.5为“1 ”
（二）将器件置于读状态寄存器模式，以及（c ）等待下一个命令。看
第3.2.5节。
如果前面的命令是擦除设置命令，那么崔将关闭地址
和数据锁存器，并开始擦除上的地址引脚所指示的块。在擦除时，
设备将只响应读状态寄存器和擦除挂起命令。该
器件将输出状态寄存器的数据时， CE ＃或OE ＃翻转。
如果一个编程或擦除操作之前被禁赛，此命令将恢复的
手术
发出此命令将开始暂停当前执行的程序/擦除操作。
状态寄存器将指示当操作已经成功中止
设置的是程序暂停（ SR.2 ）或擦除挂起（ SR.6 ）和WSM状态位
（ SR.7）为“1 ” （准备好） 。该WSM将继续闲置在挂起状态，无论
所有输入控制引脚，除了RP ＃ ，这将立即关闭WSM和国家
该芯片的其余部分，如果它被驱动到V
IL
。看
3.2.4.1节
和
第3.2.4.1 。
此命令使器件处于读状态寄存器模式。阅读器将输出
状态寄存器中的内容，而不管该地址提供给该装置。该
器件的编程或擦除操作已经启动后自动进入此模式。
SEE
第3.2.3节。
该WSM可以设置块锁定状态（ SR.1 ） ，V
PP
状态（ SR.3 ） ，程序状态（ SR.4 ） ，和
擦除状态（ SR.5 ）中的状态位为“1 ”，但不能清除它们为“0”这个发行
命令清除这些位为“ 0”。
使器件进入智能识别读取方式，使读取器将输出
制造商和设备代码（A
0
= 0的制造商，A
0
= 1装置中，所有其它
地址输入必须为0 ） 。参见第
3.2.2节。
40
计划建立
10
备用
计划建立
20
删除设置
擦除确认
D0
编程/擦除
简历
B0
编程/擦除
暂停
70
阅读状态
注册
50
清除状态
注册
90
读取识别
注意：
SEE
附录A
用于模式转换的信息。
10
3UHOLPLQDU\
