FSCM0765R
2.2前沿消隐（ LEB ） ：
在瞬时的
内部的SenseFET被接通时，通常存在一个高
电流尖峰通过的SenseFET ，引起初级侧
电容及次级整流管反向恢复。
整个RSENSE的电阻会导致过大的电压
在电流模式的PWM不正确反馈操作
控制权。为了抵消这种效果， FSCM0765R采用
前沿消隐（ LEB ）电路。该电路抑制
PWM比较器的时间很短（叔
LEB
）的值SenseFET后
被接通。
3.保护电路：
该FSCM0765R有几个自我
保护功能，如过载保护（ OLP ） ，过
电压保护（ OVP）和过热关断（ TSD ） 。
由于这些保护电路完全集成到
集成电路无需外部元件，可靠性能
提高而不增加成本。一旦故障
发生时，将被关断和值SenseFET保持
关。这会导致Vcc的下降。当VCC达到UVLO
停止电压8V的，由所消耗的电流
FSCM0765R降低到启动电流（通常
25uA ）和从直流母线提供的电流充电
外部电容（C
a
） ，其连接到Vcc管脚。
当VCC达到12V时， FSCM0765R的启动电压
恢复其正常操作。在这种方式中，自动重启
可以交替地启用和禁用电源的开关
值SenseFET直到故障被消除（参见图
19).
为了避免这种不正常运行的，过负载保护
电路设计后的指定时间被激活
确定它是否是一个短暂的情况或过载
的情况。因为脉冲由脉冲电流限制的
能力，最大峰值电流通过的SenseFET
是有限的，因此，最大输入功率是
限制使用给定的输入电压。如果输出耗
超出该最大功率，输出电压（VO）
降至低于设定电压。这减少了电流
通过光耦合器的LED ，这也减少了光耦
耦合晶体管的电流，从而增大反馈
电压（ VFB） 。如果Vfb的超过2.5V， D1被堵塞，并且
5.3uA电流源（I
延迟
）开始充电
B
慢慢来
VCC。在这种条件下， Vfb的继续增大，直到它
达到6V ，当开关动作结束为
图20所示为关断延迟时间是时间
充电C语言所需
B
从2.5V至6.0V与5.3uA （我
延迟
).
在一般情况下，在10 50毫秒的延迟时间是典型的最
应用程序。
V
FB
过载保护
6.0V
2.5V
故障
OCCURS
VDS
动力
on
故障
删除
T
12
= CFB * （ 6.0-2.5 ） / I
延迟
T
1
T
2
t
图20.过负载保护
VCC
12V
8V
t
正常
手术
故障
情况
正常
手术
图19.自动重启操作
3.1过负载保护（ OLP ） ：
过载被定义为
负载电流超过由于一个预先设定的电平
突发事件。在这种情况下，保护电路
应被激活，以保护开关电源。然而，即使
当开关电源处于正常操作中，过载
保护电路可在负载过渡期间被激活。
3.2过电压保护（ OVP ） ：
如果次级侧
反馈电路是故障或焊料缺陷
引起的反馈通路中的开路，电流通过
光耦合器晶体管几乎变为零。然后， Vfb的
爬起以类似的方式对过载的情况下，
迫使预先设定的最大电流要被提供给所述
SMPS直到过负载保护被激活。因为
比需要被提供给输出更多的能量，在
输出电压可以超过额定电压的过前
负载保护被激活，从而导致的故障
设备中的次级侧。为了防止这种情况，一
过电压保护（ OVP ）电路使用。在
一般情况下， Vcc为成比例的输出电压和
FSCM0765R采用直接监测的电压Vcc ，而不是
输出电压。如果V
CC
超过19V ，过压保护（OVP）电路
活化导致在开关的终止
操作。为了避免在OVP的不需要激活
正常操作时， Vcc的设计应低于19V 。
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