HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
N沟道增强模式
额定雪崩
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
初步数据表
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
As
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
IXFJ 32N50Q
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
t
rr
= 500
= 32
= 0.15
＆ LT ; 250
V
A
W
ns
最大额定值
500
500
±20
±30
32
128
32
1.5
45
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
J
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
特点
低轮廓，高功率封装
长蠕变和罢工的距离
易涨级路径TO- 220
设计
低R
DS （ ON）
低的Qg过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
G
D
S
é
（ TAB ）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2
4
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
1
0.15
V
V
nA
mA
mA
W
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流电动机的控制
温度和照明控制
低电压继电器
优势
高功率，小尺寸封装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
98579B (5/31/00)
版权所有2000 IXYS所有权利。
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