HFBR- 14X4输出功率测量出1电缆仪表
参数
50/125微米光纤电缆
NA = 0.2
符号
P
T50
民
-18.8
-19.8
-17.3
-18.9
-15.0
-16.0
-13.5
-15.1
-9.5
-10.5
-8.0
-9.6
-5.2
-6.2
-3.7
-5.3
典型值
2
-15.8
-13.8
最大
-13.8
-12.8
-11.4
-10.8
-10.0
-9.0
-7.6
-7.0
-4.5
-3.5
-2.1
-1.5
+0.8
+1.8
+3.2
+3.8
单位
dBm的峰值
条件
T
A
= +25 ° C，I
F
= 60毫安DC
T
A
= +25 ° C，I
F
= 100毫安DC
参考
注5 ，第6 ，第9
62.5 / 125微米光纤电缆
NA = 0.275
P
T62
-12.0
-10.0
dBm的峰值
T
A
= +25 ° C，I
F
= 60毫安DC
T
A
= +25 ° C，I
F
= 100毫安DC
100/140 μm光纤电缆
NA = 0.3
P
T100
-6.5
-4.5
dBm的峰值
T
A
= +25 ° C，I
F
= 60毫安DC
T
A
= +25 ° C，I
F
= 100毫安DC
200微米的HCS光纤电缆
NA - 0.37
P
T200
-3.7
-1.7
dBm的峰值
T
A
= +25 ° C，I
F
= 60毫安DC
T
A
= +25 ° C，I
F
= 100毫安DC
HFBR- 14x5输出功率测量出1电缆仪表
参数
62.5 / 125微米光纤电缆
NA = 0.275
符号
P
T62
民
-11.0
-12.0
典型值
2
-10.0
-10.0
最大
-8.0
-7.0
单位
dBm的峰值
条件
T
A
= +25 ° C，I
F
= 60毫安
参考
14X2 / 14X4动态特性
参数
上升时间，下降时间
（10％至90％）的
符号
t
r
, t
f
民
典型值
2
4.0
最大
6.5
单位
纳秒
无预
BIAS
纳秒
条件
I
F
= 60毫安
图12
参考
注7：
上升时间，下降时间
（10％至90％）的
脉冲宽度失真
t
r
, t
f
PWD
3.0
I
F
= 10 100 mA的电流
注7 ，
图11
图11
0.5
纳秒
注意事项：
1.对于我
FPK
>百毫安，持续时间不应超过2纳秒。
在T 2，典型数据
A
= +25 °C.
3.热电阻测量用发送器耦合到连接器组件和安装在印刷电路板上。
4. D被测定在纤维表面的平面内并限定了直径，其中光功率密度是内最大10分贝。
5. P
T
测量与在1米的模式剥离电缆的端部的大面积的检测器，具有一个ST精密陶瓷插芯（ MILSTD- 13分之83522 ）
为HFBR-一千四百一十四分之一千四百一十二，并与一个SMA 905精密陶瓷插芯为HFBR-一千四百〇四分之一千四百〇二。
6.当改变毫瓦到dBm时，光功率是相对于1毫瓦（1000毫瓦） 。光功率P（ DBM） = 10 log P值（MW ） / 1000毫瓦。
7.预偏置，建议如果信号速率>10 MBd的，请推荐驱动电路如图11所示。
8.引脚2 ， 6和7被焊接到阳极头连接，以减少从结点到环境的热阻。为了进一步降低
热电阻，阳极引线应尽可能大是一种具有良好射频电路设计相一致。
9.光纤的NA的测量是在2米模式剥离光纤的末端，使用远场图形。 NA被定义为半角的正弦，确定
在峰值强度点的5％。当使用其它制造商的光纤电缆，结果会有所不同，由于不同的NA值与规格
的方法。
所有HFBR - 14XX LED发射器被列为IEC 825-1可达发射极限（ AEL ）1级基于当前建议
定草案进去1月1日起， 1997年1 AEL类LED器件被认为是人眼安全。请联系您的Agilent销售
代表了解更多信息。
注意：所固有的这些部件的设计的小结尺寸增加组件的易感性损伤
静电放电（ ESD ） 。据表示，正常的静电预防措施，采取在处理这些和组装
部件，以防止损坏和/或降解可通过静电诱导。
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