RECTRON
半导体
技术规格
DB101
THRU
DB107
单相玻璃钝化
硅桥式整流器
电压范围50到1000伏特电流1.0安培
特点
*
*
*
*
*
*
*
*
适合自动化插入
浪涌过载额定值 - 80安培峰值
理想的印刷电路板
可靠的低造价，利用模压
玻璃钝化装置
极性符号上成型体
安装位置：任意
重量： 1.0克
DB-1
特点
*环氧： UL可燃性分类94V- 0
*通过UL认证的认证组件目录下，文件＃ E94233 。
.255 (6.5)
.245 (6.2)
.350 (8.9)
.300 (7.6)
.335 (8.51)
.320 (8.12)
.135 (3.4)
.115 (2.9)
.165 (4.2)
.155 (3.9)
.060
(1.5)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
o
.020
(0.5)
.205 (5.2)
.195 (5.0)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25
o
C除非另有说明）
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均输出电流在T
A
= 40 C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
工作和存储温度范围
I
FSM
T
J,
T
英镑
50
-65到+ 150
安培
0
o
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
DB101
50
35
50
DB102
100
70
100
DB103
200
140
200
DB104
400
280
400
1.0
DB105
600
420
600
DB106
800
560
800
DB107
1000
700
1000
单位
伏
伏
伏
安培
C
电气特性
（在T
A
= 25
o
C除非另有说明）
特征
每桥最大正向电压降
元素在1.0A DC
每桥最大正向电压降
每个元素阻断电压DC
@T
A
= 25
o
C
@T
A
= 125 C
o
符号
V
F
DB101
DB102
DB103
DB104
1.1
10.0
0.5
DB105
DB106
DB107
单位
伏
uAmps
毫安
1998-8
I
R
