BUZ 173
SIPMOS
功率晶体管
P沟道
增强型
额定雪崩
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 173
V
DS
-200 V
I
D
-3.6 A
R
DS （ ON）
1.5
包
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1452-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
-3.6
单位
A
I
D
I
Dpuls
-14
T
C
= 30 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩能量，单脉冲
E
AS
200
mJ
I
D
= -3.6 A,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
L
= 23毫亨，
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
±
20
40
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
3.1
≤
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
半导体集团
1
07/96
