BUZ 12 AL
不适用于新设计
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
逻辑电平
销1
G
TYPE
BUZ 12 AL
销2
D
3脚
S
V
DS
50 V
I
D
42 A
R
DS （ ON）
0.035
包
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1331-A3
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
42
单位
A
I
D
I
Dpuls
168
T
C
= 44 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
42
2.5
mJ
I
D
= 42 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 23.2 H,
T
j
= 25 °C
门源电压
栅源电压峰值，非周期性
功耗
41
V
GS
V
gs
P
合计
±
14
±
20
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
125
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
1
≤
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
半导体集团
1
07/96
