BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，过零
特点
高输入灵敏度我
FT
= 1.0毫安
I
真有效值
= 300毫安
高静态dv / dt的10千伏/微秒
输入之间的电绝缘
输出电路
微机兼容
触发电流
- (I
FT
< 1.2毫安） BRT22F ， BRT23F ，
- (I
FT
< 2毫安） BRT21H ， BRT22H ， BRT23H
- (I
FT
< 3毫安） BRT21M ， BRT22M ， BRT23M
可用表面贴装及卷带
零电压过零检测器
UL文件E52744系统代码"J"
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A 1
C 2
NC 3
17223
6 MT2
5
ZCC *
NC
4 MT1
*零交叉电路
订购信息
部分
BRT21H
BRT21M
BRT22F
BRT22H
备注
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 1.2毫安我
FT
应用
工业控制
办公设备
家电产品
BRT22M
BRT23F
BRT23H
BRT23M
描述
该BRT21 ， BRT22 ， BRT23产品系列包括
的交流开关的光电耦合器与零电压探测器
器具有两个电绝缘横向电源IC
其中集成了可控硅系统，光检测器
和噪声抑制在输出和红外砷化镓
二极管输入
高输入灵敏度是通过使用发射器来实现
跟随光电晶体管和可控硅预驱动器result-
荷兰国际集团以小于2mA或3毫安的LED触发电流
（直流） 。反并联可控硅整流提供
的dv / dt大于10千伏/μs的
过零线电压检测电路由
的两个MOSFET和一个光电二极管。
在BRT21 / 23分之22产品系列隔离低电压
年龄逻辑120 ， 230和380伏交流线来控制
电阻，电感或电容性负载，包括
电机，电磁阀，高电流thyristers或TRIAC
和继电器。
BRT21H-X006
BRT21H-X007
BRT21M-X006
BRT22F-X006
BRT22F - X0067 V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 1.2毫安我
FT
BRT22H-X007
BRT22M-X006
BRT23F-X006
BRT23F-X007
BRT23H-X006
BRT23H-X007
BRT23M-X006
BRT23M-X007
V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 3.0毫安我
FT
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83690
修订版1.4 10 -JAN- 05
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