a
非易失性存储器，双
1024位可编程电阻器
ADN2850
*
功能框图
ADN2850
CS
CLK
SDI
SDO
PR
WP
RDY
V
DD
V
SS
GND
PWR ON
预设
EEMEM
控制
EEMEM2
RDAC2
I
1
当前
MONITOR
I
2
串行
接口
EEMEM1
RDAC1
ADDR
解码
RDAC1
注册
W1
B1
特点
双通道， 1024位分辨率
25 K， 250 ■全面，规模性
低温度系数： 35 PPM / C
非易失性存储器
1
预设保持雨刮器设置
永久存储器写保护
游标设置回读
实际公差存储在EEMEM
1
线性递增/递减
登录锥度递增/递减
SPI兼容串行接口
3 V至5 V单电源或2.5 V双电源供电
26字节用户非易失性存储器常量存储
电流监控功能的配置
100年的典型数据保留牛逼
A
= 55 C
应用
SONET ， SDH ， ATM ，千兆以太网， DWDM激光器
二极管驱动器光监控系统
概述
RDAC2
注册
W2
B2
26个字节
USER EEMEM
V
1
V
2
RWB （ D） - ％的满量程
WB
该ADN2850提供了双通道，数字控制编程
梅布尔电阻
2
在1024的位置分辨率。这些设备
执行相同的电子调整功能作为机械
变阻器具有增强的分辨率，固态可靠性，并
出色的低温度系数性能。该ADN2850的
通过标准串行接口通用的编程允许
16种操作模式和调整，包括便笺亲
编程，记忆存储和检索，递增/递减，
登录锥度调整，抽头设置回读，和额外的用户
定义EEMEM
1
.
该ADN2850的另一个关键特征是，实际的公差
被存储在EEMEM 。实际的满量程电阻可以
因此，公知的，这是因为容差匹配的宝贵
和校准。
在高速暂存编程模式下，一个特定的设置可
直接编程至RDAC
2
寄存器，它设置电阻
终端W和B的RDAC寄存器之间tance还可以
加载与预先存储在EEMEM寄存器的值。
在EEMEM的值是可以改变的或受保护的。当
更改至RDAC寄存器作出新的价值
设置可以被保存到EEMEM 。此后，这样的价值会
将系统中自动传送到寄存器RDAC
电源ON时，它是由内部预设选通脉冲使能。
EEMEM也可以通过直接的编程检索和
外部预设引脚控制。
*专利
PENDING
笔记
1
2
100
75
50
25
0
0
256
512
CODE - 十进制
768
1023
图1。R
WB
（四）与十进制码
直线步递增和递减命令启用
在RDAC寄存器的设置来进行向上或向下移动，一步到位
的时间。对于抽头设置对数的变化，左/右
位移位指令调整的级别
±
6分贝步骤。
该ADN2850是在5mm×5mm的16引脚框芯片可用
规模LFCSP和薄16引脚TSSOP封装。所有部分都
保证工作在扩展工业级温度
范围为-40 ° C至+ 85°C 。
术语非易失性存储器和EEMEM可互换使用。
术语可编程电阻器和RDAC可互换使用。
版本B
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