ADE7759
时序特性
参数
写时序
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
读时序
t
9
t
10
t
113
t
124
t
134
A，B版本
20
150
150
10
5
6.4
4
100
4
4
30
100
10
100
10
1, 2
（ AV
DD
DV
DD
= 5 V
5 ％ ， AGND = DGND = 0 V ，片内基准， CLKIN = 3.579兆赫
XTAL ，T
民
给T
最大
= -40°C至+ 85°C ，除非另有说明。 ）
测试条件/评论
CS
下降沿到第一个SCLK的下降沿
SCLK逻辑高电平脉宽
SCLK逻辑低电平脉宽
有效的数据建立时间SCLK的下降沿之前
后SCLK下降沿数据保持时间
数据字节传输结束之间的最小时间
字节传输之间的最小时间在一个串行写
CS
保持时间SCLK下降沿后
读命令之间的最小时间（即，写通讯
寄存器）和数据读取
数据字节传输之间的最小时间在一个多字节读
数据访问时间SCLK上升沿之后写的串行通信后，
阳离子注册
落SCLK的上升沿后的总线释放时间
总线释放时间的上升沿之后
CS
单位
NS （分钟）
NS （分钟）
NS （分钟）
NS （分钟）
NS （分钟）
s
（分钟）
s
（分钟）
NS （分钟）
s
（分钟）
s
（分钟）
NS （分钟）
NS （最大值）
NS （分钟）
NS （最大值）
NS （分钟）
笔记
1
在最初发布的任何重新设计或工艺变更可能会影响该参数后的样品进行测试。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的规定
（10％至90％）和从1.6V的电压电平定时
2
参见图2和图3 ，该数据表的串行接口部分。
3
测量与负载电路在图1中，并被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。
4
从采取的数据输出改变0.5伏，测得的时间得出时与所述电路装在图1中测得的数，然后外推回
以除去的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着，时序特性所的时间是真正的总线释放时间
的一部分，并且是独立的总线负载的。
200 A
I
OL
TO
产量
针
C
L
50pF
1.6mA
I
OH
2.1V
图1.负载电路的时序规范
t
8
CS
t
1
SCLK
t
2
t
4
t
3
t
5
A3
A2
A1
A0
t
7
t
7
t
6
DIN
1
0
0
A4
DB7
DB0
DB7
DB0
命令字节
最显着的字节
最显着的字节
图2.串行写时序
CS
t
1
SCLK
t
9
t
10
t
13
DIN
0
0
0
A4
A3
A2
A1
A0
t
11
DOUT
命令字节
DB7
t
11
DB0
DB7
t
12
DB0
最显着的字节
最显着的字节
图3.串口读时序
第0版
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