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文档支持
5.7.2
存储器写
表5-8假定测试过与MSTRB = 0和H = 0.5吨推荐工作条件
C（ CO）
（见
图5-6 ） 。
表5-8 。存储器写开关特性
参数
民
0
0
0
0
0
0
0
H
2
0
H3
2H2
2H2
2H6
H5
0
2H+6
§
最大
3
3
3
8
3
4
4
H+1
3
H+6
§
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
D（ CLKH -A ）
t
D（ CLKL -A ）
t
D（ CLKL - MSL ）
t
D（ CLKL -D ）W，
t
D（ CLKL - MSH ）
t
D（ CLKH - RWL ）
t
D（ CLKH - RWH ）
t
D（ RWL - MSTRBL ）
t
H（ A） W
t
H（ D） MSH
t
瓦特（SL） MS
t
苏（A ）W，
t
SU（ D） MSH
t
烯（ D- RWL ）
t
DIS （ RWH -D ）
延迟时间， CLKOUT高到地址有效
延迟时间， CLKOUT低到地址有效
§
延迟时间， CLKOUT低到MSTRB低
延迟时间， CLKOUT低到数据有效
延迟时间， CLKOUT低到高MSTRB
延迟时间， CLKOUT高到R / W低
延迟时间， CLKOUT高到R / W高
延迟时间， R / W低到MSTRB低
CLKOUT高后保持时间，地址有效
保持时间，后MSTRB高写数据有效
脉冲持续时间， MSTRB低
建立时间， MSTRB前低地址有效
建立时间，之前MSTRB高写数据有效
启用时间后，数据总线驱动的R / W的低
禁用时， R / W高到数据总线高阻
地址， PS ， DS和时序都包含在作为地址引用计时。
在存储器中的情况下写的前面有一个存储器写
§
在存储器中的情况下写的前面有一个I / O周期
1999年4月
经修订的2004年2月
SPRS082E
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