飞利浦半导体
产品speci fi cation
CMOS单芯片3.0V的8位微控制器
87L51FA/87L51FB
EPROM特性
该87L51FA / FB通过使用改良的快速脉冲编程
编程算法。它的不同之处的值旧的方法
用于V
PP
（编程电压），并在宽度和
在ALE / PROG脉冲数。
该87L51FA / FB包含两个特征字节，可以读取和
所用的EPROM编程系统来识别该设备。该
签名字节识别设备作为87L51FA / FB制造
由飞利浦。
表2示出的逻辑电平，用于读取签名字节，而对于
编程的程序存储器，所述加密的表，并且
安全位。为快速脉冲的电路结构和波形
编程示于图13和14所示。图15示出了
电路结构正常程序存储器的验证。
程序验证
如果安全第2位未被编程，片内程序
存储器可以读出程序验证。的地址
程序存储单元被读取施加到端口1和2作为
图15.其他引脚如图保持在“验证码数据”
水平在表2中的地址单元的内容表示将
端口发射0外部上拉电阻，需要在端口0这
操作。
如果加密表已被编程，则数据在呈现
端口0将是独家的，也不是程序的字节与一个
加密字节。用户必须知道加密表
为了内容正确地解码所述验证数据。该
加密表本身不能被读出。
读标识字节
签名字节的相同程序读取作为一个正常的
验证的位置030H和031H ，所不同的是P3.6和P3.7
需要被拉到逻辑低电平。这些值是：
（ 030H ） = 15H表示由飞利浦制造的
（ 031H ） = B1H表示87L51FA
= B2H表示87L51FB
快速脉冲编程
设置为微控制器的快速脉冲编程示于
图13.注意， 87L51FA / FB时用4至6MHz的运行
振荡器。振荡器需要运行的原因在于
设备正在执行内部地址和程序数据传输。
该EPROM单元的地址进行编程时施加到
端口1和2 ，如图13中的代码字节是
编程到该位置被施加到端口0的RST ， PSEN和
在表2中指定的端口2和3的销保持在“纲要
代码数据'水平在表2中所示的ALE / PROG是脉冲
低为525倍，见图14 。
编程加密表，重复5 25脉冲
编程序列的地址0 1FH ，使用
“基因型Pgm加密表”的水平。不要忘记，加密后
表编程，验证周期将产生唯一的加密
数据。
要编程保密位，重复5 25脉冲编程
顺序使用'基因型Pgm安全位“的水平。经过一年的安全位
程序存储器的编程，再编程和
加密表被禁用。然而，其他的安全位尚可
进行编程。
注意，将EA / V
PP
引脚必须不能让上面去了
最大指定V
PP
级别任何的时间。即使是窄
毛刺以上的电压可能会导致永久性损坏
装置。在V
PP
来源应该是良好的监管和自由的毛刺
和过冲。
编程/校验算法
任何算法中，在表2中列出的条件的协议，并
所以满足时序规范，是合适的。
擦除特性
对EPROM的擦除开始时，芯片被暴露于发生
波长大于约4000埃短。
由于阳光和荧光灯具有在此波长
范围，暴露于这些光源在一个延长的时间（约
房间级荧光灯1周的阳光，或3年）
可能会导致意外的删除。
对于这一点，并辅助疗效，
建议在一个不透明的标签被放置在
窗口。
对于高温或环境中的溶剂
正在使用，适用卡普顿胶带Fluorglas零件编号2345-5 ，或者
等价的。
推荐的擦除过程是暴露于紫外光
（ 2537埃）至至少15W-的S / cm的积分剂量
2
.
露出的EPROM的12,000μW / cm的紫外灯
2
等级
为20到39分钟，在约1英寸的距离，应
足够了。
叶擦除阵列中的全1状态。
表2. EPROM编程模式
1,2,3
模式
阅读签名
程序代码的数据
验证码资料
PGM加密表
PGM安全位1
RST
1
1
1
1
1
PSEN
0
0
0
0
0
ALE / PROG
1
0
4
1
0
4
0
4
EA / V
PP
1
V
PP
1
V
PP
V
PP
P2.7
0
1
0
1
1
P2.6
0
0
0
0
1
P3.7
0
1
1
1
1
P3.6
0
1
1
0
1
PGM安全位2
1
0
0
4
V
PP
1
1
0
0
注意事项：
1， “0”=有效LOW该引脚， '1' =该引脚有效HIGH 。
2. V
PP
= 12.75V
±0.25V.
3. V
CC
= 5V编程和校验中， ±10 ％ 。
4. ALE / PROG收到5至25编程脉冲，而V
PP
保持在12.75V 。每个编程脉冲是低电平100μs的（ ± 10μs的）和高对
最小为10μs 。
商标
短语英特尔公司。
1996年8月16日
3-163
