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AS4LC2M8S1
AS4LC1M16S1
命令
PIN设置
描述
使用突发读取命令从访问连续的突发数据
在一个有效的银行活动行。突发读取可以在任何启动
活动行的列地址。脉冲串长度，序列和
潜伏期由模式寄存器的设置来确定。第一输出
数据显示，从读命令的CAS延迟时间后。输出
在脉冲串（BL = 1,2,4,8 ）的端部进入高阻抗状态
除非有新的突发读取启动，形成一个无缝的输出数据
流。一个全页突发不会在结束时自动终止
突发。终止与突发停止命令，预充电突发
命令相同的银行或其他突发读取/写入
使用突发写入命令将数据写入到SDRAM上
连续的时钟周期，以邻接的列地址。爆
长度和寻址模式由模式寄存器确定的
操作码。在相同的时钟周期为输入的初始写入地址
突发写入命令。突发终止行为写是一样的
作为读。终止一阵一阵的停止命令，
预充电命令到同一银行或其他突发读取/写入。
DQM也可用于屏蔽的输入数据。
使用DQM屏蔽的输入和输出数据。它禁止输出缓冲器
在写操作的读操作和掩模的输入数据。该
输出数据是无效的2个时钟DQM断言（ 2时钟延迟）之后。
输入数据被屏蔽在相同的时钟DQM断言（ 0时钟
潜伏期） 。
用爆站终止突发操作。该命令可能
用于终止所有法律突发长度。
该行预充电命令预充电A11所指定的银行。
预充电银行从主动切换到待机状态，并已准备好
被再次激活。断言吨后，预充电命令
RAS
（分钟）
在指定银行的银行激活命令。预充电
操作需要时间t的
RP
（分钟）来完成。
突发读
CS = CAS = A10 =低; RAS =
WE =高; A11 =银行的选择，
A0 A8 =列地址; （ A9
=不关心2M × 8 ; A8 ，
A9 =不在乎1M × 16 ）
突发写
CS = CAS = WE = A10 =低;
RAS =高; A0 A9 =列
地址; （ A9 =不关心
2M × 8 ; A8 ， A9 =不关心
为1M × 16 ）
UDQM / LDQM （ × 16 ）
DQM （ × 8 ）操作
CS = WE =低; RAS CAS = =
高
CS = A10 = RAS = WE =低;
CAS =高; A11 =银行
选择; A0 A9 =不关心
突发停止
行预充电
CS = RAS = WE =低; CAS =
预充电所有命令同时预充电两家银行。
全部预充电
A10 =高; A11 ， A0 A9 =
两岸切换到空闲状态的预充电完成。
不在乎
在自动预充电中，SDRAM调整内部定时，以满足
吨（分钟）和叔
RP
用于编程的CAS延迟和突发长度。
写： CS = CAS = WE =低;
RAS
耦合自动预充电与由一个脉冲串的读/写操作
阅读： CS = CAS =低;
主张A10为高电平状态，同时读突发/写
A10 =高; A11 =银行的选择;
命令发出。在自动预充电完成后，将指定的
自动预充电
A0 A9 =列地址;
银行从主动切换到空闲状态。需要注意的是任何新的命令
（ A9 =不关心2M × 8 ; A8 ，
（ RD / WR / DEAC）可以颁发给同一家银行，直到指定
A9 =不在乎1M × 16 ）
银行达到空闲状态。自动预充电不能与全职工作
页面爆裂。
当CKE是低电平时，内部时钟被冻结或暂停从
在下一个时钟周期和输出的状态和突发地址是
冰冻。如果两岸处于空闲状态和CKE变低时， SDRAM进入
时钟暂停/电源
CKE =低
关闭电源，在下一时钟周期模式。当电源关闭
掉电模式进入
模式，无需输入命令的CKE保持，只要承认
低。要退出省电模式，提高CKE高上升沿之前
的CLK 。
7/5/00
半导体联盟
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