飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
敏感栅
BT138X E系列
3
2.5
2
1.5
1
IGT （ TJ ）
IGT （ 25℃ ）
BT138E
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
40
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BT138
典型值
最大
30
VO = 1.175 V
卢比= 0.0316欧姆
20
10
0.5
0
-50
0
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
0
50
TJ / C
100
150
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
2
1.5
1
TRIAC
10
第i个J- HS （K / W）
BT138
与复合散热器
无散热化合物
1
单向
0.1
P
D
tp
双向
0.01
0.5
0
-50
0.001
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
t
0
50
TJ / C
100
150
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- HS
，与
脉冲宽度t
p
.
DVD / DT （V /美国）
3
2.5
2
1.5
1
0.5
TRIAC
1000
100
10
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。断态电压上升的典型，爆击率，
dV
D
/ DT与结温度T
j
.
1997年9月
4
启1.200
