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PSD4235G2
表60.直流特性
符号
V
IH
V
IL
V
IH1
V
IL1
V
HYS
V
LKO
参数
输入高电压
输入低电压
复位高电平输入电压
复位低电平输入电压
复位引脚迟滞
V
CC
（分钟）的闪存擦除和
节目
I
OL
= 20 μA ，V
CC
= 4.5 V
输出低电压
I
OL
= 8毫安， V
CC
= 4.5 V
输出高电压除
V
STBY
On
输出高电压V
STBY
On
SRAM的待机电压
SRAM的待机电流
空载电流（ VSTBY输入）
SRAM数据保持电压
待机电源电流
为掉电模式
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
= 0 V
V
CC
＆ GT ; V
STBY
只有在V
STBY
CSI ＆ GT ; V
CC
-0.3 V（注
2,3
)
V
SS
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
0.45 ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
CC
PLD_TURBO = OFF ，
F = 0兆赫（注
5
)
PLD_TURBO =开，
F = 0兆赫
在闪存写入/
仅删除
FL灰内存
只读， F = 0兆赫
SRAM
PLD AC加法
I
CC
（AC）的
（注
5
)
闪存的AC加法
SRAM AC加法
注： 1 。
2.
3.
4.
测试条件
（除了那些在
表56 ）
4.5 V＆ LT ; V
CC
＆ LT ; 5.5 V
4.5 V＆ LT ; V
CC
＆ LT ; 5.5 V
（注
1
)
（注
1
)
分钟。
2
–0.5
0.8V
CC
–0.5
0.3
2.5
典型值。
马克斯。
V
CC
+0.5
0.8
V
CC
+0.5
0.2V
CC
–0.1
单位
V
V
V
V
V
4.2
0.01
0.25
0.1
0.45
V
V
V
V
V
V
V
OL
V
OH
V
OH1
V
STBY
I
STBY
I
空闲
V
DF
I
SB
I
LI
I
LO
I
OH
= -20 μA ，V
CC
= 4.5 V
I
OH
= -2毫安，V
CC
= 4.5 V
I
OH1
= 1 A
4.4
2.4
V
STBY
– 0.8
2.0
4.49
3.9
V
CC
0.5
1
0.1
V
A
A
V
–0.1
2
100
–1
–10
±0.1
±5
0
400
15
0
0
200
1
10
A
A
A
μA / PT
PLD仅
I
CC
（DC）的
（注
5
)
操作
供应
当前
700
30
0
0
记
4
μA / PT
mA
mA
mA
F = 0兆赫
2.5
1.5
3.5
3.0
毫安/
兆赫
毫安/
兆赫
RESET（复位）具有滞后性。 V
IL1
是有效的在等于或低于0.2V
CC
–0.1. V
IH1
是有效的，在或高于0.8V
CC
.
CSI取消或内部掉电模式是有效的。
PLD是在非Turbo模式，并且没有任何的输入切换。
请参阅图35为PLD电流计算。
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