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PSD4235G2
图32. APD单位
APD EN
PMMR0位1 = 1
过渡
发现
ALE
CLR
PD
第二Flash
内存选择
主要的闪存
内存选择
PLD
SRAM SELECT
掉电
( PDN ) SELECT
禁用总线
接口
RESET
CSI
CLKIN
EDGE
检测
APD
计数器
PD
DISABLE中小学
Flash存储器和SRAM
AI04939
自动断电( APD )单元和供电
掉电模式。
APD的单位,如图32所示,
通过监视会将PSD进入掉电模式
荷兰国际集团地址选通的( ALE / AS , PD0 )的活性。
如果APD装置被启用,只要在活动
地址选通( ALE / AS , PD0)停止时,一个4位
计数器开始计数。如果地址选通脉冲( ALE /
AS , PD0 )的非激活15个时钟周期
CLKIN ( PD1 )中,掉电( PDN )变高,
与PSD进入省电模式,如显示
接下来讨论过。
的掉电模式的端口表48.影响
港口功能
单片机的I / O
PLD出
地址超出
数据端口
外围I / O
引脚的电平
没有变化
没有变化
未定义
三州
三州
s
如果地址选通脉冲( ALE / AS , PD0 )开始闪亮
再次,在PSD返回到正常操作。该
PSD也返回到如任一正常操作
PSD片选输入( CSI , PD2 )为低或
复位( RESET)输入为高。
MCU的地址/数据总线从所有被阻止
内存和可编程逻辑器件。
各种信号可以被阻塞(才能开机前
掉电模式),通过设置进入可编程逻辑器件
相应的位在电源管理
模式寄存器( PMMR ) 。阻塞信号
包括微控制器的控制信号和公共
CLKIN ( PD1 ) 。需要注意的是阻止CLKIN ( PD1 )
从可编程逻辑器件不会阻止CLKIN ( PD1 )
从APD的单位。
所有的PSD回忆进入待机模式,并
绘制的待机电流。然而,可编程逻辑器件
和I / O端口模块做
进入待机
模式,因为你不希望要等
对于以“唤醒”之前的逻辑和I / O的
输出可以改变。请参阅表48的电源 -
对PSD端口down模式的影响。
典型待机电流为微安或的顺序。
这种待机电流值是假设
有任何PLD输入没有过渡。
s
s
s
掉电模式。
默认情况下,如果启用
APD单元,掉电模式是自动恩
体健。该器件进入掉电模式,如果AD-
打扮频闪( ALE / AS , PD0 )保持不活动
15期CLKIN ( PD1 )的。
以下应牢记,当
PSD是在掉电模式:
s
表49. PSD时间和待机电流在掉电模式
模式
掉电
PLD传播延迟
正常T
PD
(注
1
)
内存访问
时间
禁止访问
访问恢复时间
正常访问
t
LVDV
典型待机
当前
I
SB
(注
2
)
注:1,掉电不影响在PLD的操作。在这种模式下, PLD的操作是仅基于涡轮位。
2.典型电流消耗,见表60 ,假设没有PLD输入改变状态和PLD的Turbo位为0 。
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