PD - 90884B
抗辐射
功率MOSFET
S URFACE安装（SMD - 1 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHN7054
100K拉德（SI ）
IRHN3054
300K拉德（SI ）
IRHN4054
600K拉德（SI ）
IRHN8054
1000K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.027
0.027
0.027
0.027
I
D
35A
35A
35A
35A
IRHN7054
JANSR2N7394U
60V的N通道
REF ： MIL -PRF-六百零三分之一万九千五百
RAD硬HEXFET
技术
QPL型号
JANSR2N7394U
JANSF2N7394U
JANSG2N7394U
JANSH2N7394U
SMD-1
国际整流器公司？的RADHard HEXFET
技
术提供高性能功率MOSFET的
空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已经character-
美化版为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。
低导通电阻和低栅极电荷的结合
减少了功率损耗的开关应用
例如DC到DC转换器和电动机控制。这些
设备保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制的，快速的切换，
方便的elec-并联和温度稳定性
Trical公司的参数。
产品特点：
!
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硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
重量轻
表面贴装
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
对于脚注参考最后一页
35
30
283
150
1.2
±20
500
35
15
3.5
-55到150
300 （ 5秒）
2.6 （典型值）
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
8/9/01
