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PD - 90881C
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ LCC- 18 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHE9130
100K拉德（SI ）
IRHE93130
300K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.30
0.30
I
D
-6.5A
-6.5A
IRHE9130
100V ， P- CHANNEL
REF ： MIL -PRF-六百三十〇分之一万九千五
抗辐射HEXFET
MOSFET技术
QPL型号
JANSR2N7389U
JANSF2N7389U
国际整流器公司的抗辐射
TM
HEXFET
MOSFET
技术提供高性能功率MOSFET
对于空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已被表征
为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。该
低导通电阻和低门电荷组合降低
的功率损耗在开关应用中，例如DC到
DC转换器和电动机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET等的优点
作为电压控制，开关速度快，易于并联和
电参数的温度稳定性。
LCC - 18
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
-6.5
-4.1
-26
25
0.2
±20
165
-6.5
2.5
-22
-55到150
300 （ 5秒）
0.42 （典型值）
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
2/20/03
