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PD - 91447C
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHNA9064
100K拉德（SI ）
IRHNA93064 300K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.045
0.045
I
D
-48A
-48A
IRHNA9064
JANSR2N7424U
60V ， P- CHANNEL
REF ： MIL -PRF- 655分之19500
抗辐射HEXFET技术
QPL型号
JANSR2N7424U
JANSF2N7424U
国际整流器公司的抗辐射HEXFET
TM
技
术提供高性能功率MOSFET的
空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已经character-
美化版为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。
低RDS（ON ）和低门电荷组合
减少了功率损耗的开关应用
例如DC到DC转换器和电动机控制。这些
设备保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制的，快速的切换，
方便的elec-并联和温度稳定性
Trical公司的参数。
SMD-2
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
重量轻
表面贴装
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = -12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
对于脚注参考最后一页
-48
-30
-192
300
2.4
±20
500
-48
30
-4.4
-55到150
300（ 5秒）。
3.3 （典型值）
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
02/18/03
