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PSD4235G2
主闪存和辅助闪存
内存描述。
主要的Flash memo-
RY被平均分配到8个扇区。二级
闪存平均分配到4个扇区。
任一存储块的各扇区可以另行
保护得非常好，从编程和擦除周期。
快闪记忆体可在一个部门逐节删除
器的基础上，和编程的字的字。闪光
而数据扇区擦除可能会被暂停
从块，然后对其他部门重新读
看完之后想当然。
在闪存编程或擦除周期，
状态可以上的Ready / Busy引脚输出
（ PE4 ） 。该引脚设置使用PSDsoft中快。
内存块选择信号。
该DPLD gen-
erates所有内部memo-选择信号
RY块（见“可编程逻辑器件”一节，页
31 ） 。每个主闪存扇区的MEM-
储器有一个选择信号（ FS0 - FS7 ），它可以CON组
覃最多3个乘积项。每个扇区
二级闪存有选择显
纳尔（ CSBOOT0 - CSBOOT3 ），其可以包含最多
三个产品的条款。有三个方面的产品
每个选择信号允许给定扇区是
映射到系统存储器的不同区域。
当使用单独的程序一个MCU和
数据空间（ 80C51XA ） ，这些灵活的选择显
的NAL允许动态重新映射扇区
之前和之后的其他一个存储空间
IAP 。该SRAM块有一个选择信号
(RS0).
就绪/忙（ PE4 ） 。
这个信号可以用来
输出PSD的Ready / Busy状态。在输出
看跌期权是0 （忙）时，闪存块是BE-
荷兰国际集团写入，
or
当闪速存储器块是
被删除。输出是一个1 （就绪）时没有
写或擦除周期正在进行中。
存储器操作。
主要的闪存
和第二Flash存储器寻址
通过单片机总线接口。 MCU可以AC-
CESS这些存储器中的两种方法之一：
s
MCU可以执行一个典型的总线写或
读
手术
只是因为它会如果访问
使用标准的总线周期RAM或ROM设备。
s
MCU可以执行特定的指令
由若干写和读操作。
这涉及到写入特定的数据模式，以
闪存存储器中的特殊地址
调用嵌入式算法。这些
指令汇总于表29 。
通常情况下， MCU可以通过读取闪存
读操作，就像它会读取DE- ROM
副。然而，闪速存储器只能被擦除
编程和使用的具体说明。为
例如， MCU不能写一个字节二
接连到闪存为一个会写一个字节
到RAM中。要设定一个字到Flash存储器中，
MCU必须执行程序指令，则
测试编程事件的状态。这台站
土族测试是由一个读操作或轮询实现
就绪/忙（ PE4 ） 。
闪速存储器还可以通过使用特殊的读取
指令检索特定的闪存器件产生
形成（部门保护状态和ID ） 。
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