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7MBR 15SA -120
I
电气特性
( T
j
=25°C )
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 射极电流Leackage
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
IGBT PIM
1200V
6x15A+Chopper
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
C
IES
t
on
t
R，X
t
R，I
t
关闭
t
f
V
F
t
rr
V
FM
I
RRM
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
t
on
t
R，X
t
关闭
t
f
I
RRM
R
B
测试条件
V
GE
=0V V
CE
=1200V
V
CE
=0V V
GE
=± 20V
V
GE
= 20V我
C
=15mA
V
GE
=15V
芯片
I
C
= 15A
终奌站
F = 1MHz时， V
GE
=0V, V
CE
=10V
V
CC
= 600V
I
C
= 15A
V
GE
=
±15V
R
G
= 82
感性负载
I
F
=15A
I
F
=15A
I
F
=15A
芯片
终奌站
芯片
终奌站
分钟。
5.5
典型值。马克斯。
单位
7.2
2.1
2.15
1800
0.35
0.25
0.10
0.45
0.08
2.3
2.35
1.1
1.2
1.0
200
8.5
2.7
pF
1.2
0.6
1.0
0.3
s
mA
nA
V
逆变器
IGBT
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
FRD
二极管正向导通电压
反向恢复时间
正向电压
反向电流
零栅极电压集电极电流
栅极 - 射极电流Leackage
集电极 - 发射极饱和电压
开启时间
打开-O FF时间
反向电流
3.2
350
1.5
1.0
1.0
200
2.6
1.2
0.6
1.0
0.3
1.0
520
3450
V
ns
V
mA
mA
nA
V
整流器器
NTC
阻力
B值
V
R
=1600V
V
GE
=0V V
CE
=1200V
V
CE
=0V V
GE
=± 20V
V
GE
=15V
芯片
I
C
=15A
终奌站
V
CC
= 600V
I
C
= 15A
V
GE
=
±15V
R
G
= 82
V
R
=1200V
中T = 25℃
T=100°C
T =五十〇分之二十五℃，
制动斩波器
2.10
2.20
0.35
0.25
0.45
0.08
5000
495
3375
s
mA
K
465
3305
I
热特性
项
热电阻（ 1个设备）
符号
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
测试条件
逆变器的IGBT
逆变器FRD
制动IGBT
整流器器二极管
随着热复合
分钟。
典型值。马克斯。
单位
1.14
1.85
1.14 ° C / W
1.30
0.05
接触热阻
