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IN5518BUR - 1直通1N5546BUR - 1
(或MLL5518B -1直通MLL5546B -1)
斯科茨代尔区划
低电压表面贴装
500 mW的雪崩二极管
图形和电路
P
d
额定功耗(MW )
噪声密度,(N-
D
)是在指定的
微伏均方根每平方根赫兹。
实际测量中进行
用1kHz到3kHz的频率
带通滤光器以恒定的齐纳测试
o
电流(I
ZT
) ,在25℃的环境
温度。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
T
EC
T
A
T
EC
,端盖温度(℃ )或T
A
在FR4 PC板环境温度的
o
图1
噪声密度
测量电路
图2
功率降额曲线
单位:pF的典型电容(pF )
科幻gure 3
齐纳电压V
Z
电容与齐纳电压(典型值)
图4
齐纳二极管的特性和符号识别
1N5518BUR - 1N5546BUR
包装尺寸
暗淡
A
B
C
英寸
最大
0.063
0.067
0.130
0.146
0.016
0.022
MILLIMETERS
最大
1.60
1.70
3.30
3.70
0.41
0.55
A
B
C
焊盘布局
英寸
.200
.055
.080
mm
5.08
1.40
2.03
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
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