位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第120页 > 2SK3587-01MR > 2SK3587-01MR PDF资料 > 2SK3587-01MR PDF资料1第1页
2SK3587-01MR
FUJI功率MOSFET
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
N沟道硅功率MOSFET
外形图
(mm)
TO-220F
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
非重复性雪崩电流
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
隔离电压
符号
V
DS
V
DSX * 5
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AS * 2
E
AS * 1
dV
DS
/ DT
*4
dv / dt的
*3
P
D
Ta=25°C
Tc=25°C
T
ch
T
英镑
V
ISO
评级
100
70
±50
±200
±30
50
465
20
5
2.16
70
+150
-55到+150
2
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
栅极（G ）
等效电路示意
漏极（D ）
*6
°C
°C
kVRMS的
源极（S ）
* 1 L = 223μH ， VCC = 48V
* 2 Tch< 150 ° C * 3 I
F
< -I
D
， -di / DT = 50A / μs的， Vcc的< BV
DSS
，总胆固醇< 150℃
=
=
=
=
< 100V
*4 V
DS
=
*5 V
GS
= -30V * 6 T = 60秒F = 60Hz的
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
V
DS
=100V V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
DS
=80V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 25A V
GS
=10V
I
D
= 25A V
DS
=25V
V
DS
=75V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 48V我
D
=25A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=50V
I
D
=50A
V
GS
=10V
L = 100μH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 50A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 50A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
100
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
25
2745
690
35
30
53
75
35
78
24
27
1.65
单位
V
V
A
nA
m
S
pF
15
10
19
30
1830
460
23
20
35
50
23
52
16
18
1.10
0.1
0.4
ns
nC
50
A
V
s
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
1.786
58.0
单位
° C / W
° C / W
www.fujielectric.co.jp/denshi/scd
1
