位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1622页 > SN74LVC1G386 > SN74LVC1G386 PDF资料 > SN74LVC1G386 PDF资料1第1页
www.ti.com
SN74LVC1G386
单3输入正异或门
SCES439C - 2003年4月 - 修订2005年4月
特点
可以在德州仪器
采用NanoStar 和NanoFree
套餐
支持5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
闭锁性能超过100mA的
每JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
DBV OR DCK包装
（ TOP VIEW ）
A
GND
B
1
2
3
6
5
4
C
V
CC
Y
YEP或YZP包装
（底视图）
B
GND
A
3 4
2 5
1 6
Y
V
CC
C
描述/订购信息
该SN74LVC1G386执行布尔函数Y = A
⊕
B
⊕
下在正逻辑。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了
模具作为包。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
订购信息
T
A
包
(1)
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YEP
-40 ° C至85°C
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
(1)
(2)
订购型号
SN74LVC1G386YEPR
磁带和卷轴
SN74LVC1G386YZPR
磁带和卷轴
磁带和卷轴
SN74LVC1G386DBVR
SN74LVC1G386DCKR
CC6_
C8_
_ _ _C8_
顶部端标记
(2)
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEP / YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
功能表
输入
A
L
L
L
L
H
H
H
H
B
L
L
H
H
L
L
H
H
C
L
H
L
H
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
L
H
L
L
H
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar ， NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ，德州仪器
