D A T A
中文ê （E T）
内部状态机设置为在器件上电时读取阵列数据，
或一个硬件复位之后。这确保了存储器的无杂散变更
电源转换过程中出现的内容。无命令是必要的，这
模式，以获得阵列的数据。标准的微处理器读周期的断言有效
器件地址输入地址产生对设备数据的有效数据
输出。该器件保持启用，直到命令寄存器的读访问
内容也被改变。
SEE
读阵列数据，第19页
了解更多信息。参见AC表
时序规格，并
图13 ，第38页
为时序图。我
CC1
在DC特性表代表了有功电流规范
读阵列数据。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（包括编程数据
到设备和擦除的存储器扇区）时，系统必须驱动WE＃和
CE＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
.
对于程序的操作， BYTE ＃引脚决定该设备是否接受
在字节或字的节目数据。请参阅
字/字节配置，第11页
了解更多信息。
该器件具有一个
解锁绕道
模式，以方便更快速的编程。
一旦设备进入解锁旁路模式，只有两个写周期是重新
引入来编程，而不是四个字或字节。该
字/字节编程
命令序列，第20页
包含编程数据的细节
设备使用标准和解锁绕道命令序列。
擦除操作可以擦除一个扇区，多个扇区或整个设备。
表2 ，第14页
和
表3 ，第15页
指示的地址空间，每
界占有。一
扇区地址
由需要以唯一的地址位
选择一个扇区。该
命令定义，第19页
包含删除的详细信息
一个扇区或整个芯片上，或悬浮/恢复的擦除操作。
在系统中写入自动选择命令序列，该器件进入
自选模式。然后，系统可以从内部看自选码
寄存器（其是分开的存储器阵列）上DQ7 - DQ0 。标准读
循环定时适用于这种模式。参阅
自选模式，第15页
和
自动选择命令序列，第20页
了解更多信息。
I
CC2
在DC特性表代表了有功电流规范
写入模式。该
AC特性，第38页
包含时序规格
表和时序图，用于写操作。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可检查的状态
操作通过读取DQ7 - DQ0状态位。标准的读周期时序
我
CC
读取规格适用。请参阅
写操作状态，第27页
有关详细信息，并
AC特性，第38页
时序图。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，它可以将设备
在待机模式下。在这种模式下，电流消耗大大减少，并
的输出被置于高阻抗状态，独立的OE＃
输入。
12
S29AL008D
2005年S29AL008D_00A3 6月16日，
